金融界2024年11月28日音信，国度学问产权局信息浮现，扬州扬杰电子科技股份有限公司恳求一项名为“一种坚固短路特色的SiC晶体管及制备要领”的专利，公开号CN 119028823 A，恳求日历为2024年9月。

专利提要浮现，一种坚固短路特色的SiC晶体管及制备要领。波及半导体时代领域。包括如下要领：S100，在SiC Sub层的顶面通过外延千里积造成SiC Drift层，并SiC Drift层内注入造成一层P区；S200，在SiC Drift层的顶面外延千里积造成N区，并在N区内挨次造成Pwell区和NP区，通过高温离子退火使注入区激活造成；S300，在NP区的顶面向下刻蚀造成沟槽；S400，在沟槽内造成栅氧化层；S500，在沟槽里面通过多晶硅千里积神气造成Poly层；S600，在栅氧化层和Poly层顶面造成约束介质层；S700，在NP区的顶面通过Ni金属溅射后快速热退火造成正面欧姆战斗合金层；S800，在器件最上方通过Ti和AlCu金属溅射造成正面电极金属层。本发明幸免沟谈底部拐角栅氧化层的提前击穿失效，进步了器件的使用可靠性。

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